Курсова работа по микроелектроника 2


Категория на документа: Други


Технически Университет
гр. Габрово

Дисциплина:
Микроелектроника 2

Катедра: Електроника

Разработил: Димитър Петков Арнаудов
Фак. № 21007108
Специалност: Електроника, 3 курс

Проверил: Доц. д-р инж. В.Тодорова
12.12.2012г
Гр.Габрово Подпис:..................

I. Задание: Вариант 8

Дифузионни резистори и кондензатори

1. Да се проектира топологията на дифузионен резистор, формиран в емитерната област:

> Да се определят конструктивните размери и да се избере подходяща конфигурация на резистора при следните изходни данни:

R = 33 Ω ± 20% ; Rs = 7,5 Ω/□ ;

P = 0,25 mW ; P0 = 20 mW/mm2 ;

bтех = 8 μm ; bточн = 10 μm ;

∆ецв = 1 μm ; xj = 1 μm .

> Да се построи топологичен чертеж на проетирания резистор в подходящо подбран мащаб в рамките на полупроводниковия чип с квадратна форма и площ АСН = 2,12 mm2 .

> Да се изчисли активната площ АR на резистора и площа Аtot , заемана от резистора в чипа.

2. Да се проектира дифузионен кондензатор, използващ бариерния капацитет на емитерния преход.

> Да се изчисли площа на кондензатора при зададени:

C = 8,5 pF ; UR = 4,5 V ; φk = 0,55 V ; NA = 2,2.1018 cm-3 ;

ɛ0 = 8,85.10-12 F/m ; ɛrSi = 12 ; q = 1,6.10-19 C.

> Да се начертае вертикалната геометрия на кондензатора при дълбочина на емитерния преход xj = 1,2 μm и хоризонтални размери l = 1,3b.

Тънкослоийни резистори и кондезатори

1. Да се проетира топологията на тънкослоен резистор от МЛТ-3М.

> Да се изчислят конструктивните размери и да се избере конфигурация на резистора при следните изходни данни:



Сподели линка с приятел:





Яндекс.Метрика
Курсова работа по микроелектроника 2 9 out of 10 based on 2 ratings. 2 user reviews.