Еднопреходни транзистори


Категория на документа: Други


ПС
Коефициент на предаване ɳ
0,6
0,65
0,7
Маждубазово съпротивление RBB
7kΩ
7kΩ
7kΩ
Напрежение на напищане UE sat
3,5V
1,5V
2,5V
Ток на включване Iвкл
2µA
0,5µA
0,1µA
Ток на изключване Iизкл
15mA
10mA
7mA
Обратен ток на емитерния преход IE0
2nA
8nA
1nA
Амплитуда на импулса U0B1N
Напрежението на базата В1
4,5V
6,5V
8V
Време за спадане на емитерното напрежение tr
2,5µs
1,5µs
0,3µs

3.Принцип на действие и статична емитерна характеристика на ЕТ.
В основата на работата на ЕТ лежи модулацията на проводимостта на частта на силициевото стълбче , която се намира между емитера и базовия контакт В1.Проводимостта на тази част се дава от следната обща формула:
(7)ϭ=q(µp+µnN),
Първоначално нека разгледаме случая, когато между базите В1и В2 е включено постоянно напрежение UBB, а емитерът е свободен .През ЕТ протича ток, определен от стойността ма междубазовото съпротивление RBB.
Фиг.(3.1) схематично представяне на действието на ЕТ

Разпределението на електрическия потенциал по дължината на силициевото стълбче е развномерно фиг.(3.1).Нека сега между емитера Е и базата В1 се включи източник на постоянно напрежение UE.Ако това напрежение е по- малко от ɳUBB емитерния преход е запушен и през него тече ток с няколко порядъка по- малък от този , протичащ между В1и В2 от източника UBB т.е.
(8)IB1=IB2=UBBRBB
Нпрежението UBB се нарича вътрешно напрежение и е равно на пада на напрежението върху дължина l1 от силициевото стълбче фиг.(3.1)и може да се определи от израза:
(9)ɳUBB=IB1RB1=UBBRBBRB1
Съпторивленията RB1и RBB зависят от степента на легиране и геометрията на ЕТ.За еднородно легиран полупроводников материал ɳ=RB1RBB
Зависи само от геометрията на прибора поради , което ɳ е много стабилен параметър.Измененението и стареенето на прибора почти не променят неговата стойност. При изпълнение на условието :
(10)UE +UD≥ɳUBB
Емитерния преход се отпушва и инжектира дупки от силициевото стълбче, които под влиянието на полето се движат в посока към В1.Ако рекомбинацията т.е дифузионната дължина на дупките в силиция е по- голяма от разстоянието Е-В1, концентрацията на дупки в областта между емитера и базата В1 значително нараства.Съгласно закона за неутралност в тази област нараства концентрацията на електрони.Във всяка точка на обема трябва да се изпълнява условието ;
(11)P(x)+Nd=N(x),
Където Nd е количеството на донори в силиция.фиг.(7).В резултат на нарастването на количеството на свободни заряди проводимостта на силициевото стълбче в участъка Е-В1 се увеличава (съпротивлението RB1 намалява ,в резултат, на което напрежението върху този участък намалява).



Сподели линка с приятел:





Яндекс.Метрика
Еднопреходни транзистори 9 out of 10 based on 2 ratings. 2 user reviews.