Микроелектронни конструкции и технологии


Категория на документа: Други


Технически университет Габрово
Катедра "Електроника"

К У Р С О В А Р А Б О Т А

По дисциплината "Микроелектронни конструкции и технологии"

Тема: 1. Дифузионни резистори и кондензатори

2. Тънкослойни резистори и кондензатори

Изработил :
Специалност: Електроника
Фак.№:
Курс:
Преподавател:

Изготвил:.........................
//
Проверил:.......................
//
ДИФУЗИОННИ РЕЗИСТОРИ И КОНДЕНЗАТОРИ

1. Да се проектира топологията на дифузионен резистор, формиран в базовата област:
> Да се определят конструктивните размери и да се избере подходяща конфигурация на резистора при следните изходни данни:
R=3kΩ±17%; Rs=200Ω/□ ;
P=750µW; P0=20 mW/mm2 ;
Bтех=25 µm; bточн=23µm;
∆ецв=1,1µm; xj=2,7 µm.
> Да се построи топологичен чертеж на проектирания резистор в подходящо подбран мащаб в рамките на полупроводников чип с квадратна форма и площ Асн=2,1 mm2.
> Да се изчисли активната площ АRна резистора и площта Atot, заемана от резистора в чипа.

2. Да се проектира дифузионен кондензатор, използуващ бариерния капацитет на емитерния преход.
> Да се изчисли площта на кондензатора при зададени:
С=15 pF; NA=2.1018сm-3;
UR=12 V; εrSi=12 ;
φk=0,55 V; ε =8,85.10-12 F/m ;
q=1,6.10-19 C.
> Да се начертае вертикалната геометрия на кондензатора при дълбочина на емитерния преход xj=1,3 µm и хоризонтални размери l=1,4b.

* Изчисляване на минималната стойност на съпротивлението,определена от толеранса му:
Rmin = R - R.∆R
Rmin = 3000 - 3000.0,17 = 3000 - 510 = 2490Ω
* bp-минимална ширина на дифузионния резистор, която отговаря на максимално допустимата му разсейвана мощност:
P0 = 20 mW/mm2 = 20 . 10-3.106 = 20 000 W/m2
bp = P.RsPo.Rmin = √750.10-6.2002000.2490 = √0,154,98.107 = √3,012.10-9 = 5,49.10-4m = 54,9 µm
* избор на ширина на резистора b

b > max(bтех,bточ,bp)
b > max(25µm; 23µm; 54,9µm)
Нека b = 55µm



Сподели линка с приятел:





Яндекс.Метрика
Микроелектронни конструкции и технологии 9 out of 10 based on 2 ratings. 2 user reviews.