Микроелектронни конструкции и технологии


Категория на документа: Други


RRs = 3000200 = 15 --> резистора ще се сгъва

R = Rsl∑b+2.k2+n.k3 --> l∑ = RRs-2.k2-n.k3.b

k2 = 0,65 k3 = 0,65

n - брой нагънати участъци на 90° от топологията на резистора, наречени меандри

Избираме n = 1
l∑ = 3.103200-2.0,65-1.0,65.55.10-6 = (15-1,3-0,65). 10-6 = 0,718.10-3m = 718µm
l = 7182 = 359 --> 400µm
* Графични стойности на дължината и ширината на дифозионния резистор
bграф = b-2∆ецв-2xj = 55.10-6-2.1,1.10-6-2.2,7.10-6 = 47,4µm
lграф = l-2∆ецв-2xj = 0,4.10-3-7,6.10-6 = 392µm
AR = l∑.b+n.b2 = 0,718.10-3.55.10-6+1.(55.10-6)2 = 39,49.10-9+3,025.10-9 = 43.10-9
AR = 0,047 µm
Atot = (5.b+l1).(5.b+l2) = (5.55.10-6+0,4.10-3).(5.55.10-6+0,4.10-3)
Atot = 0,000675.0,000675 = 456.10-9 m2
Atot = 0,456 µm2

Дифузионен кондензатор
* Изчисляване на специфичен капацитет на PN-прехода
NA=2.1018cm-3=2.1018.106=2.1024m
Co=εо.εr.q.Nрез2(UR+Uo)=﴾(8,85.10-12.12.1,6.10-19.2.1024).2.(12+0,55)﴿-2=1,16.10-3 F/m
* Изчисляване площта на PN-прехода
А = С/Со = (15.10-12)/(1,16.10-3) = 12930µm
A = 2.l.xj + 2.b.xj + l.b
l.b + 2.xj.l + 2.xj.b - A = 0
1,4.b2 + 6,24.10-6.b - 12,9.10-9 = 0
D = b2 - 4.a.c = 7,23.10-8
b1,2 = -b ±√D2.a --> b1 = 94,2 µm b2 = -98,7
==> b = b1 = 94,2 µm
==> l = 1,4.b = 131,88 µm
ТЪНКОСЛОЙНИ РЕЗИСТОРИ И КОНДЕНЗАТОРИ
1. Да се проектира топологията на тънкослоен резистор от хром Cr

> Да се изчислят конструктивните размери и да се избере конфигурация на резистора при следните изходни данни:
R=750Ω±10%; RS=105Ω/□; (∆RS/RS).100=±5%;

PR=450 µW; Po=1 W/cm2;

Bтех=0,22 mm; ln=0,1 mm;
∆b=0,02 mm; ∆l=0,03 mm.
> Да се изчисли активната площ АR на резистора.
> Да се построи топологичен чертеж на проектирания резистор в подходящо подбран мащаб върху подложка с размер (16 х 10) mm.
> Да се изчисли общата площ Аtot , заемана от резистора като елемент на слойна ИС върху подложката.

2. Да се проектира тънкослоен кондензатор с диелектрик GeO (εr=12).
> Да се изчислят специфичният капацитет Со и площите на горната и долната плочи на кондензатораако е зададено:
С=3,3 nF; Up=5 V; Eпр=1.106V/cm; Kз=3; кs=0,93.
> Да се построи топологичен чертеж на проектирания кондензатор в подходящо подбран мащаб, като се изберат линейните размери на диелектричния слой.



Сподели линка с приятел:





Яндекс.Метрика
Микроелектронни конструкции и технологии 9 out of 10 based on 2 ratings. 2 user reviews.