Микроелектронни конструкции и технологии


Категория на документа: Други



!-Кондензатора и резистора да бъдат разположени върху една една и съща обща подложка.
Тънкослоен резистор
* Определяне броя на квадратите на резистивния слой
Кф=R/Rs=750/105=7,14□
* Минимална ширина на дифузионния резистор,при която точността на изготвянето му е развна на зададената
Bточ=∆lKф+∆b∆RR-∆RsRs= 0,037,14+0,020,1-0,05= 0,48mm
* Минимална ширина на резистора, която отговаря на максимално допустимата му разсейвана мощност
Bp=PrKф.Po=450.10-67,14.1.104=450.10-671400 = 7,94.10-5 m = 0,079 mm
* Определяне широчината на структората на резистора
b ≥ max(bтех;bточ;1,2bp) 1,2 bp = 0,095
Нека b = 0,5 mm
* Дължина на резистора

l=KФ.b=7,14.0,5 = 3571 µm
* Оптимална дължина на резистора
lопт = l + 2.ln = 3,57 + 0,2 = 3,77 mm = 3770 µm
* Активна площ на резистора
Ar = b.lопт = 500.3770 = 1 885 000 µm2
* Площта, заемана от резистора върху подложката
Atot = 3.b.(6b + l) = 3.500.(6.500 + 3571) = 1500.6571 = 9 856 500 µm2

Тънкослоен кондензатор
* Дебелина на диелектричния слой
Епр=1.106V/cm=1000000 V/cm=1.108 V/m
d≥КЗ.Up/Eпр
d≥3.(5/100000)
d≥150nm
* Специфичен капацитет на кондензатора
εо=8,85.10-12F/m= 8,85.10-15F/mm
Co=εo.εr/d=8,85.10-12.12/150.10-9 = 7,08.10-4 F
* Площ на горната плоча на кондензатора
АГ=С/Со=3,3/0,708=4,66 µm2
аг = Аг = 4,66.10-6 = 2160 µm2
* Площ на долната плочка на кондензатора

АД=АГ/КS=4,66/0,93=5,01mm2

ад = АД = 5,01.10-6 = 2240 µm2





Сподели линка с приятел:





Яндекс.Метрика
Микроелектронни конструкции и технологии 9 out of 10 based on 2 ratings. 2 user reviews.