Полупроводникови усилватели и генератори. Съвместни схеми.


Категория на документа: Други


10.ПОЛУПРОВОДНИКОВИ УСИЛВАТЕЛИ И ГЕНЕРАТОРИ.
СЪВМЕСТНИ СХЕМИ

Настоящата тема съдържа някои особености на получили широко приложение в практиката СВЧ схеми на усилватели и генератори, които са реализирани по класическата за нискочестотните схеми методика. Тези схеми могат да бъдат отнесени към групата на невзаимните устройства, защото съдържат полупроводникови материали ( високочестотни транзистори). Характеристиките на тези високочестотни елементи се описват с помощта на матриците им на разсейване, която обикновено се прилагат към сартификата на предлаганите от фирмата изделия.

Полупроводниковите усилватели и генератори се реализират най-често като хибридни интегрални схеми, съдържащи; безкорпусни високочестотни транзистори и диоди, чип-кондензатори и съпротивления и лентови, или микролентови несиметрични линии реализирани върху диелектрична подложка. Тази технология позволява максимално приближение на реалната конструкция към използваните в анализа еквивалентните високочестотни схеми, в които се използват еквивалентни двупроводни линии. Друго съществено предимство на мекролентовата технология е подобието на методиката на проектирането на тези високочестотно схеми с методиката на проектиране на схеми със съсредоточени параметри.

ТРАНЗИСТОРНИ УСИЛВАТЕЛИ И ГЕНЕРАТОРИ

Транзисторът е три електроден прибор, при който единият от електродите участвува едновременно във входната и в изходната високочестотна верига.

Ако транзисторът е биполярен, той може да бъде включен по схемите: с обща база, общ емитер и общ колектор.

Особено голямо приложение в последно време имат полевите свръхвисокочестотни транзистори поради добрите си шумови показатели. Техните схеми на включване са аналогични на тези на биполярните транзистори (Фиг.10.1).

От схемите на включване е очевидно, че по отношение на високочестотната верига всеки транзистор може да се разглежда като четириполюсник. Описанието на високочестотните му свойства може да бъде извършено с помощта на матрицата му на разсейване . Стойностите на елементите на матрицата на разсейване на типов високочестотен полеви транзистор измерени при слаби сигнали в честотен диапазон са дадени в таблица10.1

Таблица 10.1
GHz
|S11|
11
|S21|
21
|S12|
12
|S22|
22
1.0
0.970
-46
3.232
144
0.030
61
0.784
-16
2.0
0.886
-86
2.618
113
0.045
35
0.728
-31
3.0
0.874
-113
2.379
90
0.067



Сподели линка с приятел:





Яндекс.Метрика
Полупроводникови усилватели и генератори. Съвместни схеми. 9 out of 10 based on 2 ratings. 2 user reviews.